Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
2024-11-23
日前,威世科技Vishay宣布,推出采用PowerPAK? SO-8S(QFN 6x5)封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %,導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積(功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)降低了15.4 %,RthJC降低了62.5 %,而連續(xù)漏極電流增加了179 %。
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