3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模塊
近年來(lái)，為降低全球社會(huì)范圍內(nèi)的碳排放，功率半導(dǎo)體器件正越來(lái)越多地被用于高效電力變換場(chǎng)合，特別是在重工業(yè)中，這些器件被用于變流器設(shè)備，如軌道牽引中的變流系統(tǒng)和直流輸電系統(tǒng)。其中，SiC功率半導(dǎo)體能夠大幅降低功率損耗，人們對(duì)其期待很高。此外，對(duì)于大型工業(yè)設(shè)備，為了進(jìn)一步提高其轉(zhuǎn)換效率，對(duì)高效率功率半導(dǎo)體模塊的需求不斷增加。
為進(jìn)一步為大型工業(yè)變流設(shè)備的高功率輸出、高效率和高可靠性做出貢獻(xiàn)，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了這款SiC MOSFET模塊，采用內(nèi)置SBD的SiC MOSFET芯片和優(yōu)化的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，能有效降低開(kāi)關(guān)損耗，將很快開(kāi)始提供樣品。至此，三菱電機(jī)3.3kV LV100封裝共包含4款SiC MOSFET模塊和2款Si IGBT模塊。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 集成SBD的SiC-MOSFET，降低功率損耗，提高變流器輸出功率、效率和可靠性
2. 采用集成SBD的SiC MOSFET和優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，與公司現(xiàn)有的硅功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了91%*4，與現(xiàn)有的全SiC功率模塊相比降低了66%*5，從而降低了變流器功率損耗，并有助于提高輸出功率和效率。
3. 集成SBD的SiC MOSFET和優(yōu)化的電流容量提高了變流器的可靠性。
4. 優(yōu)化的端子布局，適用于不同容量大小的變流器
5. 優(yōu)化的端子布局利于并聯(lián)連接，通過(guò)并聯(lián)不同的數(shù)量實(shí)現(xiàn)變流器的靈活功率配置。
6. 直流和交流主端子布置在兩端的封裝設(shè)計(jì)，有助于簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
本產(chǎn)品為符合《出口貿(mào)易管制令》附表1第2（41）3項(xiàng)的產(chǎn)品。
*1：Schottky Barrier Diode
*2：Silicon Carbide碳化硅
*3：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
*4：3.3kV/600A 硅功率模塊(CM600DA-66X)
*5：3.3kV/750A全SiC功率模塊 (FMF750DC-66A)
關(guān)于三菱電機(jī)
三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。在2022年《財(cái)富》世界500強(qiáng)排名中，位列351名。截止2022年3月31日的財(cái)年，集團(tuán)營(yíng)收44768億日元(約合美元332億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng)，三菱電機(jī)從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有60余年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車(chē)、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
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