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CoolSiC? 1200V SiC MOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過(guò)優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用 .XT互連技術(shù)，最新的CoolSiC? MOSFET具有一流的熱耗散性能。

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G 600 V 15 A新產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)展其CIPOS? Tiny智能功率模塊（IPM）系列的產(chǎn)品陣容。這款全新的IPM采用了TRENCHSTOP? RC-D2 IGBT功率開(kāi)關(guān)器件和先進(jìn)的SOI柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，可最大限度地提高效率，實(shí)現(xiàn)更高的可靠性，同時(shí)盡最大可能縮小外形尺寸并降低系統(tǒng)成本。將分立式功率半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行一體化集成封裝，使得設(shè)計(jì)師可以節(jié)省投入在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上的時(shí)間和精力，從而顯著加快產(chǎn)

奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家，今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴(kuò)大了具有散熱和電氣優(yōu)勢(shì)的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應(yīng)用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢(shì)。

TDK集團(tuán)（東京證券交易所代碼：6762）針對(duì)干擾抑制應(yīng)用推出新的B3202*H/J系列愛(ài)普科斯 (EPCOS) MKP-Y2薄膜電容器。與最高工作溫度為110°C的傳統(tǒng)型號(hào)相比，B3202*H/J系列的最大工作溫度達(dá)到了125°C。新系列的容值范圍為1nF到1μF，最大額定電壓為300V AC，并且能在嚴(yán)苛工況下維持穩(wěn)定的容值。該電容能滿足IEC 60384-14:2013/AMD1:2016和AEC-Q200D標(biāo)準(zhǔn)。