英飛凌推出1200V低阻值CoolSiC MOSFET產(chǎn)品
2022-06-08
CoolSiC? 1200V SiC MOSFET低歐姆產(chǎn)品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiC? MOSFET具有一流的熱耗散性能。
CoolSiC? MOSFET是硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● TO247封裝中最大規(guī)格，最低的RDS(ON) 7mΩ
● .XT互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)了同類最佳的熱性能
● 最大柵極源極電壓低至-10V
● 靈活的關(guān)斷柵極電壓選擇-5V~0V
● 雪崩能力
● 短路能力
應(yīng)用價(jià)值
● 單個(gè)器件的功率密度高
● 7mΩ單個(gè)器件的系統(tǒng)輸出功率可做到30千瓦
● 散熱能力提高15%
● 寬關(guān)斷柵極電壓選擇，易于設(shè)計(jì)和應(yīng)用
● 增強(qiáng)穩(wěn)健性和可靠性
市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)
● 經(jīng)過驗(yàn)證并增強(qiáng)了封裝的堅(jiān)固性，具有很高的可靠性
● 完整的內(nèi)部生產(chǎn)前端和后端，確保供應(yīng)安全性
● 最新的開關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)實(shí)現(xiàn)了最佳性能
● 易于設(shè)計(jì)，加快了上市時(shí)間
應(yīng)用領(lǐng)域
● 電動(dòng)車快速充電
● 太陽(yáng)能系統(tǒng)
● 儲(chǔ)能系統(tǒng)
● 工業(yè)驅(qū)動(dòng)
Karmin Electronic (HK) Limited 
Hong Kong Tel:852-39070580 96557277
Hong Kong Fax:852-39070581
Email：
Hong Kong address: Room 6, 11th floor, Huali industrial center, 10 - 14guidi street, Fo Tan, New Territories, Hong Kong