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CoolSiC? 1200V SiC MOSFET低歐姆產品，采用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優(yōu)化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用 .XT互連技術，最新的CoolSiC? MOSFET具有一流的熱耗散性能。

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G 600 V 15 A新產品，進一步擴展其CIPOS? Tiny智能功率模塊（IPM）系列的產品陣容。這款全新的IPM采用了TRENCHSTOP? RC-D2 IGBT功率開關器件和先進的SOI柵極驅動技術，可最大限度地提高效率，實現更高的可靠性，同時盡最大可能縮小外形尺寸并降低系統成本。將分立式功率半導體和驅動器進行一體化集成封裝，使得設計師可以節(jié)省投入在產品設計上的時間和精力，從而顯著加快產

奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基礎半導體器件領域的專家，今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優(yōu)勢的DPAK封裝的產品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢。

TDK集團（東京證券交易所代碼：6762）針對干擾抑制應用推出新的B3202*H/J系列愛普科斯 (EPCOS) MKP-Y2薄膜電容器。與最高工作溫度為110°C的傳統型號相比，B3202*H/J系列的最大工作溫度達到了125°C。新系列的容值范圍為1nF到1μF，最大額定電壓為300V AC，并且能在嚴苛工況下維持穩(wěn)定的容值。該電容能滿足IEC 60384-14:2013/AMD1:2016和AEC-Q200D標準。